Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
BSC082N10LSGATMA1

BSC082N10LSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
Nombor Bahagian
BSC082N10LSGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Not For New Designs
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
PG-TDSON-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
156W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
13.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 110µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
104nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7400pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 27433 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada BSC082N10LSGATMA1
BSC082N10LSGATMA1 Komponen elektronik
BSC082N10LSGATMA1 Jualan
BSC082N10LSGATMA1 Pembekal
BSC082N10LSGATMA1 Pengedar
BSC082N10LSGATMA1 Jadual data
BSC082N10LSGATMA1 Foto
BSC082N10LSGATMA1 harga
BSC082N10LSGATMA1 Tawaran
BSC082N10LSGATMA1 Harga terendah
BSC082N10LSGATMA1 Cari
BSC082N10LSGATMA1 Membeli
BSC082N10LSGATMA1 Chip