Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB108N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB108N15N3GATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
214W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
150V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
83A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 160µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
55nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3230pF @ 75V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
8V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 54337 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3GATMA1 Komponen elektronik
IPB108N15N3GATMA1 Jualan
IPB108N15N3GATMA1 Pembekal
IPB108N15N3GATMA1 Pengedar
IPB108N15N3GATMA1 Jadual data
IPB108N15N3GATMA1 Foto
IPB108N15N3GATMA1 harga
IPB108N15N3GATMA1 Tawaran
IPB108N15N3GATMA1 Harga terendah
IPB108N15N3GATMA1 Cari
IPB108N15N3GATMA1 Membeli
IPB108N15N3GATMA1 Chip