Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB120N06S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB120N06S4H1ATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Discontinued at Digi-Key
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3-2
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
270nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
21900pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 45955 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB120N06S4H1ATMA1
IPB120N06S4H1ATMA1 Komponen elektronik
IPB120N06S4H1ATMA1 Jualan
IPB120N06S4H1ATMA1 Pembekal
IPB120N06S4H1ATMA1 Pengedar
IPB120N06S4H1ATMA1 Jadual data
IPB120N06S4H1ATMA1 Foto
IPB120N06S4H1ATMA1 harga
IPB120N06S4H1ATMA1 Tawaran
IPB120N06S4H1ATMA1 Harga terendah
IPB120N06S4H1ATMA1 Cari
IPB120N06S4H1ATMA1 Membeli
IPB120N06S4H1ATMA1 Chip