Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB12CNE8N G
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
85V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
67A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
64nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4340pF @ 40V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 53491 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB12CNE8N G
IPB12CNE8N G Komponen elektronik
IPB12CNE8N G Jualan
IPB12CNE8N G Pembekal
IPB12CNE8N G Pengedar
IPB12CNE8N G Jadual data
IPB12CNE8N G Foto
IPB12CNE8N G harga
IPB12CNE8N G Tawaran
IPB12CNE8N G Harga terendah
IPB12CNE8N G Cari
IPB12CNE8N G Membeli
IPB12CNE8N G Chip