Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB136N08N3 G
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
79W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
80V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
45A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
13.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 33µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
25nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1730pF @ 40V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 33439 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IPB136N08N3 G
IPB136N08N3 G Komponen elektronik
IPB136N08N3 G Jualan
IPB136N08N3 G Pembekal
IPB136N08N3 G Pengedar
IPB136N08N3 G Jadual data
IPB136N08N3 G Foto
IPB136N08N3 G harga
IPB136N08N3 G Tawaran
IPB136N08N3 G Harga terendah
IPB136N08N3 G Cari
IPB136N08N3 G Membeli
IPB136N08N3 G Chip