IPD053N06N3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD053N06N3GBTMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
115W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 58µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
82nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6600pF @ 30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 44233 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD053N06N3GBTMA1
IPD053N06N3GBTMA1 Komponen elektronik
IPD053N06N3GBTMA1 Jualan
IPD053N06N3GBTMA1 Pembekal
IPD053N06N3GBTMA1 Pengedar
IPD053N06N3GBTMA1 Jadual data
IPD053N06N3GBTMA1 Foto
IPD053N06N3GBTMA1 harga
IPD053N06N3GBTMA1 Tawaran
IPD053N06N3GBTMA1 Harga terendah
IPD053N06N3GBTMA1 Cari
IPD053N06N3GBTMA1 Membeli
IPD053N06N3GBTMA1 Chip