Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD110N12N3GBUMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
136W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
75A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4310pF @ 60V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5643 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3GBUMA1 Komponen elektronik
IPD110N12N3GBUMA1 Jualan
IPD110N12N3GBUMA1 Pembekal
IPD110N12N3GBUMA1 Pengedar
IPD110N12N3GBUMA1 Jadual data
IPD110N12N3GBUMA1 Foto
IPD110N12N3GBUMA1 harga
IPD110N12N3GBUMA1 Tawaran
IPD110N12N3GBUMA1 Harga terendah
IPD110N12N3GBUMA1 Cari
IPD110N12N3GBUMA1 Membeli
IPD110N12N3GBUMA1 Chip