Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD16CN10N G
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
100W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
53A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 61µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3220pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 36363 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD16CN10N G
IPD16CN10N G Komponen elektronik
IPD16CN10N G Jualan
IPD16CN10N G Pembekal
IPD16CN10N G Pengedar
IPD16CN10N G Jadual data
IPD16CN10N G Foto
IPD16CN10N G harga
IPD16CN10N G Tawaran
IPD16CN10N G Harga terendah
IPD16CN10N G Cari
IPD16CN10N G Membeli
IPD16CN10N G Chip