Beli Infineon Technologies IPD180N10N3GBTMA1 MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

IPD180N10N3GBTMA1

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Nombor Bahagian

IPD180N10N3GBTMA1

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

OptiMOS™

Status Bahagian

Obsolete

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pakej Peranti Pembekal

PG-TO252-3

Pelesapan Kuasa (Maks)

71W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

100V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

43A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.5V @ 33µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

25nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1800pF @ 50V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 17547 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

IPD1-02-D

POWER HOUSING MINI MATE