Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD30N06S215ATMA2
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3-11
Pelesapan Kuasa (Maks)
136W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
55V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
14.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 80µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1485pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 11466 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2 Komponen elektronik
IPD30N06S215ATMA2 Jualan
IPD30N06S215ATMA2 Pembekal
IPD30N06S215ATMA2 Pengedar
IPD30N06S215ATMA2 Jadual data
IPD30N06S215ATMA2 Foto
IPD30N06S215ATMA2 harga
IPD30N06S215ATMA2 Tawaran
IPD30N06S215ATMA2 Harga terendah
IPD30N06S215ATMA2 Cari
IPD30N06S215ATMA2 Membeli
IPD30N06S215ATMA2 Chip