IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD35N10S3L26ATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
71W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 39µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
39nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2700pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 41942 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Komponen elektronik
IPD35N10S3L26ATMA1 Jualan
IPD35N10S3L26ATMA1 Pembekal
IPD35N10S3L26ATMA1 Pengedar
IPD35N10S3L26ATMA1 Jadual data
IPD35N10S3L26ATMA1 Foto
IPD35N10S3L26ATMA1 harga
IPD35N10S3L26ATMA1 Tawaran
IPD35N10S3L26ATMA1 Harga terendah
IPD35N10S3L26ATMA1 Cari
IPD35N10S3L26ATMA1 Membeli
IPD35N10S3L26ATMA1 Chip