Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPS110N12N3GBKMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Nombor Bahagian
IPS110N12N3GBKMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO251-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
136W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
75A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 83µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4310pF @ 60V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 41636 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPS110N12N3GBKMA1
IPS110N12N3GBKMA1 Komponen elektronik
IPS110N12N3GBKMA1 Jualan
IPS110N12N3GBKMA1 Pembekal
IPS110N12N3GBKMA1 Pengedar
IPS110N12N3GBKMA1 Jadual data
IPS110N12N3GBKMA1 Foto
IPS110N12N3GBKMA1 harga
IPS110N12N3GBKMA1 Tawaran
IPS110N12N3GBKMA1 Harga terendah
IPS110N12N3GBKMA1 Cari
IPS110N12N3GBKMA1 Membeli
IPS110N12N3GBKMA1 Chip