Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IRFHM8363TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Nombor Bahagian
IRFHM8363TRPBF
Pengeluar/Jenama
Siri
HEXFET®
Status Bahagian
Not For New Designs
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerVDFN
Kuasa - Maks
2.7W
Pakej Peranti Pembekal
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Jenis FET
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
Logic Level Gate
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
11A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.35V @ 25µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1165pF @ 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 50934 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IRFHM8363TRPBF
IRFHM8363TRPBF Komponen elektronik
IRFHM8363TRPBF Jualan
IRFHM8363TRPBF Pembekal
IRFHM8363TRPBF Pengedar
IRFHM8363TRPBF Jadual data
IRFHM8363TRPBF Foto
IRFHM8363TRPBF harga
IRFHM8363TRPBF Tawaran
IRFHM8363TRPBF Harga terendah
IRFHM8363TRPBF Cari
IRFHM8363TRPBF Membeli
IRFHM8363TRPBF Chip