Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IRLHS6342TR2PBF

IRLHS6342TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Nombor Bahagian
IRLHS6342TR2PBF
Pengeluar/Jenama
Siri
HEXFET®
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
6-PowerVDFN
Pakej Peranti Pembekal
6-PQFN (2x2)
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.1W (Ta)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
8.7A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.1V @ 10µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1019pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 27601 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IRLHS6342TR2PBF
IRLHS6342TR2PBF Komponen elektronik
IRLHS6342TR2PBF Jualan
IRLHS6342TR2PBF Pembekal
IRLHS6342TR2PBF Pengedar
IRLHS6342TR2PBF Jadual data
IRLHS6342TR2PBF Foto
IRLHS6342TR2PBF harga
IRLHS6342TR2PBF Tawaran
IRLHS6342TR2PBF Harga terendah
IRLHS6342TR2PBF Cari
IRLHS6342TR2PBF Membeli
IRLHS6342TR2PBF Chip