Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXFH12N120P

IXFH12N120P

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Nombor Bahagian
IXFH12N120P
Pengeluar/Jenama
Siri
HiPerFET™, PolarP2™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-247AD (IXFH)
Pelesapan Kuasa (Maks)
543W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6.5V @ 1mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
103nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5400pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20212 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IXFH12N120P
IXFH12N120P Komponen elektronik
IXFH12N120P Jualan
IXFH12N120P Pembekal
IXFH12N120P Pengedar
IXFH12N120P Jadual data
IXFH12N120P Foto
IXFH12N120P harga
IXFH12N120P Tawaran
IXFH12N120P Harga terendah
IXFH12N120P Cari
IXFH12N120P Membeli
IXFH12N120P Chip