Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXFH60N65X2
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Nombor Bahagian
IXFH60N65X2
Pengeluar/Jenama
Siri
HiPerFET™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3
Pakej Peranti Pembekal
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
780W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 4mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
107nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
6180pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20737 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXFH60N65X2
IXFH60N65X2 Komponen elektronik
IXFH60N65X2 Jualan
IXFH60N65X2 Pembekal
IXFH60N65X2 Pengedar
IXFH60N65X2 Jadual data
IXFH60N65X2 Foto
IXFH60N65X2 harga
IXFH60N65X2 Tawaran
IXFH60N65X2 Harga terendah
IXFH60N65X2 Cari
IXFH60N65X2 Membeli
IXFH60N65X2 Chip