Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH
Nombor Bahagian
IXFH80N65X2-4
Pengeluar/Jenama
Siri
HiPerFET™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-4
Pakej Peranti Pembekal
TO-247-4L
Pelesapan Kuasa (Maks)
890W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 4mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
140nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8300pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 46716 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4 Komponen elektronik
IXFH80N65X2-4 Jualan
IXFH80N65X2-4 Pembekal
IXFH80N65X2-4 Pengedar
IXFH80N65X2-4 Jadual data
IXFH80N65X2-4 Foto
IXFH80N65X2-4 harga
IXFH80N65X2-4 Tawaran
IXFH80N65X2-4 Harga terendah
IXFH80N65X2-4 Cari
IXFH80N65X2-4 Membeli
IXFH80N65X2-4 Chip