Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTA2N100P

IXTA2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Nombor Bahagian
IXTA2N100P
Pengeluar/Jenama
Siri
Polar™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
TO-263 (IXTA)
Pelesapan Kuasa (Maks)
86W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1000V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
2A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 100µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24.3nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
655pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 40536 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IXTA2N100P
IXTA2N100P Komponen elektronik
IXTA2N100P Jualan
IXTA2N100P Pembekal
IXTA2N100P Pengedar
IXTA2N100P Jadual data
IXTA2N100P Foto
IXTA2N100P harga
IXTA2N100P Tawaran
IXTA2N100P Harga terendah
IXTA2N100P Cari
IXTA2N100P Membeli
IXTA2N100P Chip