Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTH10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Nombor Bahagian
IXTH10N100D2
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-247
Pelesapan Kuasa (Maks)
695W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
Depletion Mode
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1000V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
200nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
5320pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 8824 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXTH10N100D2
IXTH10N100D2 Komponen elektronik
IXTH10N100D2 Jualan
IXTH10N100D2 Pembekal
IXTH10N100D2 Pengedar
IXTH10N100D2 Jadual data
IXTH10N100D2 Foto
IXTH10N100D2 harga
IXTH10N100D2 Tawaran
IXTH10N100D2 Harga terendah
IXTH10N100D2 Cari
IXTH10N100D2 Membeli
IXTH10N100D2 Chip