Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTP3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Nombor Bahagian
IXTP3N100D2
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
Depletion Mode
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1000V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1020pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
-
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 48735 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXTP3N100D2
IXTP3N100D2 Komponen elektronik
IXTP3N100D2 Jualan
IXTP3N100D2 Pembekal
IXTP3N100D2 Pengedar
IXTP3N100D2 Jadual data
IXTP3N100D2 Foto
IXTP3N100D2 harga
IXTP3N100D2 Tawaran
IXTP3N100D2 Harga terendah
IXTP3N100D2 Cari
IXTP3N100D2 Membeli
IXTP3N100D2 Chip