Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTP6N100D2

IXTP6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Nombor Bahagian
IXTP6N100D2
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
Depletion Mode
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1000V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
95nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2650pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
-
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 32705 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 Komponen elektronik
IXTP6N100D2 Jualan
IXTP6N100D2 Pembekal
IXTP6N100D2 Pengedar
IXTP6N100D2 Jadual data
IXTP6N100D2 Foto
IXTP6N100D2 harga
IXTP6N100D2 Tawaran
IXTP6N100D2 Harga terendah
IXTP6N100D2 Cari
IXTP6N100D2 Membeli
IXTP6N100D2 Chip