Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTX6N200P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Nombor Bahagian
IXTX6N200P3HV
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3 Variant
Pakej Peranti Pembekal
TO-247PLUS-HV
Pelesapan Kuasa (Maks)
960W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
2000V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
143nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3700pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 43704 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXTX6N200P3HV
IXTX6N200P3HV Komponen elektronik
IXTX6N200P3HV Jualan
IXTX6N200P3HV Pembekal
IXTX6N200P3HV Pengedar
IXTX6N200P3HV Jadual data
IXTX6N200P3HV Foto
IXTX6N200P3HV harga
IXTX6N200P3HV Tawaran
IXTX6N200P3HV Harga terendah
IXTX6N200P3HV Cari
IXTX6N200P3HV Membeli
IXTX6N200P3HV Chip