Beli Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G IGBT 1200V 69A 417W TO247

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

APT25GP120BDQ1G

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Nombor Bahagian

APT25GP120BDQ1G

Pengeluar/Jenama

Microsemi Corporation

Siri

POWER MOS 7®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tube

Jenis Input

Standard

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej / Kes

TO-247-3

Kuasa - Maks

417W

Pakej Peranti Pembekal

TO-247 [B]

Masa Pemulihan Songsang (trr)

Arus - Pengumpul (Ic) (Maks)

69A

Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)

1200V

Jenis IGBT

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Arus - Denyutan Pengumpul (Icm)

90A

Tenaga Bertukar

500µJ (on), 440µJ (off)

Caj Pintu

110nC

Td (hidup/mati) @ 25�C

12ns/70ns

Keadaan ujian

600V, 25A, 5 Ohm, 15V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 45063 PCS

Maklumat perhubungan