Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
PSMN6R3-120ESQ
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Nombor Bahagian
PSMN6R3-120ESQ
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakej Peranti Pembekal
I2PAK
Pelesapan Kuasa (Maks)
405W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
120V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
70A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
207.1nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
11384pF @ 60V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 24655 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada PSMN6R3-120ESQ
PSMN6R3-120ESQ Komponen elektronik
PSMN6R3-120ESQ Jualan
PSMN6R3-120ESQ Pembekal
PSMN6R3-120ESQ Pengedar
PSMN6R3-120ESQ Jadual data
PSMN6R3-120ESQ Foto
PSMN6R3-120ESQ harga
PSMN6R3-120ESQ Tawaran
PSMN6R3-120ESQ Harga terendah
PSMN6R3-120ESQ Cari
PSMN6R3-120ESQ Membeli
PSMN6R3-120ESQ Chip