Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FQB3N80TM
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
Nombor Bahagian
FQB3N80TM
Pengeluar/Jenama
Siri
QFET®
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
690pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 6314 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada FQB3N80TM
FQB3N80TM Komponen elektronik
FQB3N80TM Jualan
FQB3N80TM Pembekal
FQB3N80TM Pengedar
FQB3N80TM Jadual data
FQB3N80TM Foto
FQB3N80TM harga
FQB3N80TM Tawaran
FQB3N80TM Harga terendah
FQB3N80TM Cari
FQB3N80TM Membeli
FQB3N80TM Chip