NTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Nombor Bahagian
NTD12N10T4G
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
DPAK
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
12A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
550pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 48267 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada NTD12N10T4G
NTD12N10T4G Komponen elektronik
NTD12N10T4G Jualan
NTD12N10T4G Pembekal
NTD12N10T4G Pengedar
NTD12N10T4G Jadual data
NTD12N10T4G Foto
NTD12N10T4G harga
NTD12N10T4G Tawaran
NTD12N10T4G Harga terendah
NTD12N10T4G Cari
NTD12N10T4G Membeli
NTD12N10T4G Chip