Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
NTLJD3182FZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Nombor Bahagian
NTLJD3182FZTBG
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
6-WDFN Exposed Pad
Pakej Peranti Pembekal
6-WDFN (2x2)
Pelesapan Kuasa (Maks)
710mW (Ta)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
Schottky Diode (Isolated)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
2.2A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
450pF @ 10V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20209 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada NTLJD3182FZTBG
NTLJD3182FZTBG Komponen elektronik
NTLJD3182FZTBG Jualan
NTLJD3182FZTBG Pembekal
NTLJD3182FZTBG Pengedar
NTLJD3182FZTBG Jadual data
NTLJD3182FZTBG Foto
NTLJD3182FZTBG harga
NTLJD3182FZTBG Tawaran
NTLJD3182FZTBG Harga terendah
NTLJD3182FZTBG Cari
NTLJD3182FZTBG Membeli
NTLJD3182FZTBG Chip