Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IRFBE30STRL
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Nombor Bahagian
IRFBE30STRL
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D2PAK
Pelesapan Kuasa (Maks)
125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
4.1A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1300pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 12239 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IRFBE30STRL
IRFBE30STRL Komponen elektronik
IRFBE30STRL Jualan
IRFBE30STRL Pembekal
IRFBE30STRL Pengedar
IRFBE30STRL Jadual data
IRFBE30STRL Foto
IRFBE30STRL harga
IRFBE30STRL Tawaran
IRFBE30STRL Harga terendah
IRFBE30STRL Cari
IRFBE30STRL Membeli
IRFBE30STRL Chip