Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Nombor Bahagian
SI2315BDS-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakej Peranti Pembekal
-
Pelesapan Kuasa (Maks)
750mW (Ta)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
715pF @ 6V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 27508 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Komponen elektronik
SI2315BDS-T1-GE3 Jualan
SI2315BDS-T1-GE3 Pembekal
SI2315BDS-T1-GE3 Pengedar
SI2315BDS-T1-GE3 Jadual data
SI2315BDS-T1-GE3 Foto
SI2315BDS-T1-GE3 harga
SI2315BDS-T1-GE3 Tawaran
SI2315BDS-T1-GE3 Harga terendah
SI2315BDS-T1-GE3 Cari
SI2315BDS-T1-GE3 Membeli
SI2315BDS-T1-GE3 Chip