Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Nombor Bahagian
SI4931DY-T1-E3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kuasa - Maks
1.1W
Pakej Peranti Pembekal
8-SO
Jenis FET
2 P-Channel (Dual)
Ciri FET
Logic Level Gate
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6.7A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 350µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 31485 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI4931DY-T1-E3
SI4931DY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4931DY-T1-E3 Jualan
SI4931DY-T1-E3 Pembekal
SI4931DY-T1-E3 Pengedar
SI4931DY-T1-E3 Jadual data
SI4931DY-T1-E3 Foto
SI4931DY-T1-E3 harga
SI4931DY-T1-E3 Tawaran
SI4931DY-T1-E3 Harga terendah
SI4931DY-T1-E3 Cari
SI4931DY-T1-E3 Membeli
SI4931DY-T1-E3 Chip