Beli Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SI5855DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Nombor Bahagian

SI5855DC-T1-E3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Obsolete

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

8-SMD, Flat Lead

Pakej Peranti Pembekal

1206-8 ChipFET™

Pelesapan Kuasa (Maks)

1.1W (Ta)

Jenis FET

P-Channel

Ciri FET

Schottky Diode (Isolated)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

20V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

2.7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 24501 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SI5853CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8