Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Nombor Bahagian
SI7137DP-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
20V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.95 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
585nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
20000pF @ 10V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
2.5V, 10V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 24406 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI7137DP-T1-GE3
SI7137DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7137DP-T1-GE3 Jualan
SI7137DP-T1-GE3 Pembekal
SI7137DP-T1-GE3 Pengedar
SI7137DP-T1-GE3 Jadual data
SI7137DP-T1-GE3 Foto
SI7137DP-T1-GE3 harga
SI7137DP-T1-GE3 Tawaran
SI7137DP-T1-GE3 Harga terendah
SI7137DP-T1-GE3 Cari
SI7137DP-T1-GE3 Membeli
SI7137DP-T1-GE3 Chip