Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Nombor Bahagian
SI8429DB-T1-E1
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
4-XFBGA, CSPBGA
Pakej Peranti Pembekal
4-Microfoot
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
8V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
11.7A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1640pF @ 4V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.2V, 4.5V
Vgs (Maks)
±5V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 10587 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1 Komponen elektronik
SI8429DB-T1-E1 Jualan
SI8429DB-T1-E1 Pembekal
SI8429DB-T1-E1 Pengedar
SI8429DB-T1-E1 Jadual data
SI8429DB-T1-E1 Foto
SI8429DB-T1-E1 harga
SI8429DB-T1-E1 Tawaran
SI8429DB-T1-E1 Harga terendah
SI8429DB-T1-E1 Cari
SI8429DB-T1-E1 Membeli
SI8429DB-T1-E1 Chip