Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Nombor Bahagian
SI8808DB-T2-E1
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
4-UFBGA
Pakej Peranti Pembekal
4-Microfoot
Pelesapan Kuasa (Maks)
500mW (Ta)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
-
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10nC @ 8V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
330pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 53671 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8808DB-T2-E1 Jualan
SI8808DB-T2-E1 Pembekal
SI8808DB-T2-E1 Pengedar
SI8808DB-T2-E1 Jadual data
SI8808DB-T2-E1 Foto
SI8808DB-T2-E1 harga
SI8808DB-T2-E1 Tawaran
SI8808DB-T2-E1 Harga terendah
SI8808DB-T2-E1 Cari
SI8808DB-T2-E1 Membeli
SI8808DB-T2-E1 Chip