Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Nombor Bahagian
SIA477EDJT-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen III
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SC-70-6
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pelesapan Kuasa (Maks)
19W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
12V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3050pF @ 6V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20497 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIA477EDJT-T1-GE3
SIA477EDJT-T1-GE3 Komponen elektronik
SIA477EDJT-T1-GE3 Jualan
SIA477EDJT-T1-GE3 Pembekal
SIA477EDJT-T1-GE3 Pengedar
SIA477EDJT-T1-GE3 Jadual data
SIA477EDJT-T1-GE3 Foto
SIA477EDJT-T1-GE3 harga
SIA477EDJT-T1-GE3 Tawaran
SIA477EDJT-T1-GE3 Harga terendah
SIA477EDJT-T1-GE3 Cari
SIA477EDJT-T1-GE3 Membeli
SIA477EDJT-T1-GE3 Chip