Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHF6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
Nombor Bahagian
SIHF6N65E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Pakej Peranti Pembekal
TO-220 Full Pack
Pelesapan Kuasa (Maks)
31W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
7A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
820pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 26087 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHF6N65E-GE3
SIHF6N65E-GE3 Komponen elektronik
SIHF6N65E-GE3 Jualan
SIHF6N65E-GE3 Pembekal
SIHF6N65E-GE3 Pengedar
SIHF6N65E-GE3 Jadual data
SIHF6N65E-GE3 Foto
SIHF6N65E-GE3 harga
SIHF6N65E-GE3 Tawaran
SIHF6N65E-GE3 Harga terendah
SIHF6N65E-GE3 Cari
SIHF6N65E-GE3 Membeli
SIHF6N65E-GE3 Chip