Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHH120N60E-T1-GE3

SIHH120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8
Nombor Bahagian
SIHH120N60E-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 8 x 8
Pelesapan Kuasa (Maks)
156W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
24A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1600pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 37300 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIHH120N60E-T1-GE3
SIHH120N60E-T1-GE3 Komponen elektronik
SIHH120N60E-T1-GE3 Jualan
SIHH120N60E-T1-GE3 Pembekal
SIHH120N60E-T1-GE3 Pengedar
SIHH120N60E-T1-GE3 Jadual data
SIHH120N60E-T1-GE3 Foto
SIHH120N60E-T1-GE3 harga
SIHH120N60E-T1-GE3 Tawaran
SIHH120N60E-T1-GE3 Harga terendah
SIHH120N60E-T1-GE3 Cari
SIHH120N60E-T1-GE3 Membeli
SIHH120N60E-T1-GE3 Chip