Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH PPAK 8X8
Nombor Bahagian
SIHH180N60E-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 8 x 8
Pelesapan Kuasa (Maks)
114W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
19A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
33nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1085pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 33987 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIHH180N60E-T1-GE3
SIHH180N60E-T1-GE3 Komponen elektronik
SIHH180N60E-T1-GE3 Jualan
SIHH180N60E-T1-GE3 Pembekal
SIHH180N60E-T1-GE3 Pengedar
SIHH180N60E-T1-GE3 Jadual data
SIHH180N60E-T1-GE3 Foto
SIHH180N60E-T1-GE3 harga
SIHH180N60E-T1-GE3 Tawaran
SIHH180N60E-T1-GE3 Harga terendah
SIHH180N60E-T1-GE3 Cari
SIHH180N60E-T1-GE3 Membeli
SIHH180N60E-T1-GE3 Chip