Beli Vishay Siliconix SIR112DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 40V

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIR112DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 40V

Nombor Bahagian

SIR112DP-T1-RE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

40V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

37.6A (Ta), 133A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.96 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

89nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

4270pF @ 20V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 29813 PCS

Maklumat perhubungan