Beli Vishay Siliconix SIR188DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60V

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SIR188DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V

Nombor Bahagian

SIR188DP-T1-RE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

60V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

25.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.85 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.6V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

44nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1920pF @ 30V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 42812 PCS

Maklumat perhubungan