Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Nombor Bahagian
SIRA20DP-T1-RE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
81.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
0.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.1V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
200nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10850pF @ 10V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 15383 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3 Komponen elektronik
SIRA20DP-T1-RE3 Jualan
SIRA20DP-T1-RE3 Pembekal
SIRA20DP-T1-RE3 Pengedar
SIRA20DP-T1-RE3 Jadual data
SIRA20DP-T1-RE3 Foto
SIRA20DP-T1-RE3 harga
SIRA20DP-T1-RE3 Tawaran
SIRA20DP-T1-RE3 Harga terendah
SIRA20DP-T1-RE3 Cari
SIRA20DP-T1-RE3 Membeli
SIRA20DP-T1-RE3 Chip