Beli Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIRA60DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Nombor Bahagian

SIRA60DP-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

57W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

0.94 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

7650pF @ 15V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 39999 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8