Beli Vishay Siliconix SIRA62DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 30V

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIRA62DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 30V

Nombor Bahagian

SIRA62DP-T1-RE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

5.2W (Ta), 65.7W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

51.4A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

93nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

4460pF @ 15V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

+16V, -12V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 51680 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8