Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Nombor Bahagian
SISA26DN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8S
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pelesapan Kuasa (Maks)
39W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
60A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
44nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2247pF @ 10V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
+16V, -12V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 10917 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISA26DN-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISA26DN-T1-GE3 Jualan
SISA26DN-T1-GE3 Pembekal
SISA26DN-T1-GE3 Pengedar
SISA26DN-T1-GE3 Jadual data
SISA26DN-T1-GE3 Foto
SISA26DN-T1-GE3 harga
SISA26DN-T1-GE3 Tawaran
SISA26DN-T1-GE3 Harga terendah
SISA26DN-T1-GE3 Cari
SISA26DN-T1-GE3 Membeli
SISA26DN-T1-GE3 Chip