AGM-Semi (core control source)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Nombor Bahagian
AGM210MAP
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
AGM-Semi (core control source)
Enkapsulasi
DFN3.3x3.3
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
5000
Penerangan
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 54280 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada AGM210MAP
AGM210MAP Komponen elektronik
AGM210MAP Jualan
AGM210MAP Pembekal
AGM210MAP Pengedar
AGM210MAP Jadual data
AGM210MAP Foto
AGM210MAP harga
AGM210MAP Tawaran
AGM210MAP Harga terendah
AGM210MAP Cari
AGM210MAP Membeli
AGM210MAP Chip