DIODES (US and Taiwan)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Nombor Bahagian
DGD2012S8-13
kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Pengeluar/Jenama
DIODES (US and Taiwan)
Enkapsulasi
SO-8
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
2500
Penerangan
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 96677 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Kata kunci daripada DGD2012S8-13
DGD2012S8-13 Komponen elektronik
DGD2012S8-13 Jualan
DGD2012S8-13 Pembekal
DGD2012S8-13 Pengedar
DGD2012S8-13 Jadual data
DGD2012S8-13 Foto
DGD2012S8-13 harga
DGD2012S8-13 Tawaran
DGD2012S8-13 Harga terendah
DGD2012S8-13 Cari
DGD2012S8-13 Membeli
DGD2012S8-13 Chip