VBsemi (Wei Bi)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FDC6301N-VB
FDC6301N-VB
Nombor Bahagian
FDC6301N-VB
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
VBsemi (Wei Bi)
Enkapsulasi
SOT23-6
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
3000
Penerangan
N-channel, 20V, 4.8A, RDS(ON), 22mΩ@4.5V, 28mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); 1.2~2.2Vth(V); SOT23-6
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 79767 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada FDC6301N-VB
FDC6301N-VB Komponen elektronik
FDC6301N-VB Jualan
FDC6301N-VB Pembekal
FDC6301N-VB Pengedar
FDC6301N-VB Jadual data
FDC6301N-VB Foto
FDC6301N-VB harga
FDC6301N-VB Tawaran
FDC6301N-VB Harga terendah
FDC6301N-VB Cari
FDC6301N-VB Membeli
FDC6301N-VB Chip