onsemi (Ansemi)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FDN306P
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
Nombor Bahagian
FDN306P
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
onsemi (Ansemi)
Enkapsulasi
SOT-23
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
3000
Penerangan
This P-channel 1.8V specified MOSFET uses an advanced low voltage PowerTrench process. This product is ideal for battery management applications.
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 99924 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 2.4A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 2.6A P-channel, 1.8V specified, PowerTrench MOSFET, -12V, -2.6A, 40mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 1.5A P-channel, 2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -1.5A, 125mΩ
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada FDN306P
FDN306P Komponen elektronik
FDN306P Jualan
FDN306P Pembekal
FDN306P Pengedar
FDN306P Jadual data
FDN306P Foto
FDN306P harga
FDN306P Tawaran
FDN306P Harga terendah
FDN306P Cari
FDN306P Membeli
FDN306P Chip