VBsemi (Wei Bi)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FQD12N10-VB
FQD12N10 TO252
Nombor Bahagian
FQD12N10-VB
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
VBsemi (Wei Bi)
Enkapsulasi
TO-252
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
2500
Penerangan
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 96549 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada FQD12N10-VB
FQD12N10-VB Komponen elektronik
FQD12N10-VB Jualan
FQD12N10-VB Pembekal
FQD12N10-VB Pengedar
FQD12N10-VB Jadual data
FQD12N10-VB Foto
FQD12N10-VB harga
FQD12N10-VB Tawaran
FQD12N10-VB Harga terendah
FQD12N10-VB Cari
FQD12N10-VB Membeli
FQD12N10-VB Chip