Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2001C
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Nombor Bahagian
EPC2001C
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die Outline (11-Solder Bar)
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
36A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 5mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
900pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 52942 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2001C
EPC2001C Komponen elektronik
EPC2001C Jualan
EPC2001C Pembekal
EPC2001C Pengedar
EPC2001C Jadual data
EPC2001C Foto
EPC2001C harga
EPC2001C Tawaran
EPC2001C Harga terendah
EPC2001C Cari
EPC2001C Membeli
EPC2001C Chip